近年來，随着系列二維層狀鐵電材料的湧現，如 CuInP₂S₆、α-In₂Se₃等本征二維鐵電體系及衆多二維堆疊鐵電體系，二維鐵電物性研究取得了長足進步，為開發原子尺度功能電子器件提供了新機遇。在本次報告中，我們将介紹近年來二維面外鐵電物性的探索進展，并針對二維極限條件下外電場難以對鐵電極化進行均勻調控這一前沿難題，探讨基于撓曲電效應的二維鐵電極化普适調控策略。具體内容包括：（1）本征α-In₂Se₃及滑移體系1T’-ReS2中二維面外鐵電物性的實驗探索[1]；（2）本征及摩爾二維鐵電疇的無損可逆撓曲調控[2-4]；（3）二維面外鐵電物性的潛在器件應用[5]。
Ref:
[1] Y Wan#, T Hu#, X Mao#, J Fu, K Yuan, Y Song, X Gan, X Xu, M Xue, X Cheng, C Huang, J Yang, L Dai*, H Zeng*, E Kan*, Phys. Rev. Lett. 128, 067601, (2022) (Cover Story).
[2] C Chen#, H Liu#, Q Lai#, X Mao, J Fu, Z Fu*, H Zeng*, Nano Lett. 22, 3275-3282 (2022).
[3] H Liu#, Q Lai#, J Fu, S Zhang, Z Fu, H Zeng*, Nat. Commun. 15, 4556 (2024).
[4] S Wan, H Huang, H Liu, H Liu, Z Li, Y Li, Z Liao, M Lanza, H Zeng*, Y Zhou*, Adv. Mater. 2410563 (2024).
[5] Y Li, J Fu, X Mao, C Chen, H Liu, M Gong*, H Zeng*, Nat. Commun. 12, 5896 (2021)
