為紀念beat365傑出校友、中國半導體物理學科的奠基人黃昆先生，慶祝中國半導體學科創建50周年，由beat365官方网站、beat365微電子研究所、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室聯合主辦的黃昆先生銅像落成儀式于2006年12月15日在beat365物理大樓舉行。beat365黨委書記闵維方出席儀式，并與黃昆先生的夫人李愛扶女士、長子黃志勤先生等一起為銅像揭幕。

從全國各地專程趕來的五校聯合半導體專門化畢業的老同志，黃昆先生的弟子、同仁，以及beat365官方网站、信息學院的師生等近百人參加了銅像落成儀式。

儀式上，黃昆先生當年的研究生秦國剛院士介紹了黃昆先生生平和主要成就。黃昆先生是世界著名的物理學家，他對固體物理學作出了許多開拓性的重大貢獻，是我國固體物理學和半導體物理學的奠基人之一。黃昆先生一貫強調德才兼備，教書與育人相結合的教育原則，嘔心瀝血，教誨提攜，以極大精力投入為國家培養科技人才的光榮事業，認為在中國培養一支科技隊伍的重要性遠遠超過他個人在學術上的成就，堪稱中國科學界的典範。黃昆先生為我們留下的不僅是一些舉世矚目的科學成果，還有在科學研究上不斷創新、勇于探索的精神；不僅是一批批他所培養的科技事業的棟梁之才，還有嚴謹求實的治學态度和淡泊明志的高尚情操。他對祖國的赤子之情，對事業的赤子之誠，對黨的赤誠之心和高尚的情操将垂範世人，啟迪後學。秦國剛院士最後說, 作為黃昆先生的弟子，我們深切懷念這位半導體科學技術界的一代宗師和長期培養教誨我們中許多人的恩師，我們将沿着黃昆先生的足迹，在教學革命和推進科技進步的道路上闊步前進！

五校聯合半導體專門化師生代表、複旦大學阮剛教授在發言中動情地說，黃昆先生最重要的貢獻就是創辦五校聯合半導體專門化，為國家的半導體科技事業培養了一批又一批棟梁英才，為創建和發展我國半導體科技和教育事業、從無到有地建立和發展半導體工業體系起到了開拓性作用。黃先生所倡導的自力更生、團結協作、以及多方争取教育資源等先進的教育思想永遠值得我們學習和發揚。

微電子研究所青年教師張興、beat365學生代表趙璐冰也在發言中表示，今天在這裡聚會不僅是為了紀念，更是為了秉承先生遺志，弘揚科學精神，傳承科學文化。要以黃昆先生為榜樣，努力鑽研專業知識，更要有深重的社會責任感，無私奉獻，為國家科學技術的發展和振興作出應有的貢獻。

在落成儀式之後舉行的座談會上，五校聯合半導體專門化老同學還一起回顧往事，深切緬懷黃昆先生當年創辦五校聯合半導體專門化的傑出貢獻。

黃昆先生銅像落成儀式由beat365葉沿林院長主持，出席儀式的有：南京大學物理系鄭有炓院士，複旦大學微電子系阮剛教授，吉林大學電子工程學院劉式墉教授，廈門大學物理和機電學院副院長吳正雲教授，中電58所許居衍院士，中科院長春光學精密機械與物理研究所張月清教授，中科院半導體所鄭厚植院士、夏建白院士，清華大學李志堅院士、朱邦芬院士，國家外國專家局馬俊如教授，北京市政協副主席、民革北京市委主委韓汝琦教授，beat365甘子钊院士、王陽元院士、楊應昌院士、趙光達院士，beat365校長助理朱星教授，物理系前主任趙凱華教授等。

點擊以上圖片可見更加清晰顯示

黃昆先生簡介：

黃昆，1919年9月生于北京，祖籍浙江嘉興。1941年畢業于燕京大學物理系，獲理學學士學位；1941-1942年任昆明西南聯大物理系助教；1942-1944年就讀于西南聯大北大研究院，獲理學碩士學位；1944-1945年任昆明鳳凰山天文台助理研究員；1945-1947年在英國布列斯托（Bristol）大學物理系學習，獲哲學博士學位；1947-1948年在英國愛丁堡大學任訪問學者；1948-1951年任英國利物浦大學理論物理系博士後研究員；1951年回國。1951-1977年任beat365物理系教授；1954年起任北大物理系固體物理專門化教研室主任；1960－1966年任beat365物理系副主任。1977-1983年任中國科學院半導體研究所所長，1983年後，任名譽所長。1987-1991年曾任中國物理學會理事長。他先後被選為中國科學院學部委員(院士)(1955年)，瑞典皇家科學院外籍院士(1980年)，第三世界科學院院士(1985年)。 黃昆先生先後在國内外獲得過包括1995年度何梁何利基金科學與技術成就獎、2001年度國家最高科學技術獎等在内的多項科技和榮譽獎勵。

黃昆先生是世界著名的物理學家，他對固體物理學作出了許多開拓性的重大貢獻，是我國固體物理學和半導體物理學的奠基人之一。他從理論上預言了與晶格中雜質有關的X光漫散射，以後被稱為“黃散射”。這個理論在六十年代獲實驗證實，“黃散射”已發展成為一種能直接研究固體中微觀缺陷的有效手段。他的多聲子躍遷理論，以“黃－裡斯因子”而著稱于世。他提出關于描述晶體中光學位移、宏觀電場與電極化三者關系的“黃方程”和由此引伸的電磁波與晶格振動的耦合，即後來稱為極化激元的重要概念。他與M.Born合著的《晶格動力學理論》一書，是一部有世界影響的經典性科學專著。他的理論對信息産業(特别是光電子産業)具有重要的現實指導意義，産生着越來越深遠的影響。近年來，他與合作者對半導體超晶格的電子态和聲子模開展了系統而富有成效的研究。 從“黃散射”到“黃方程”，從“黃－裡斯因子”到“玻恩和黃”，以至“黃－朱模型”，黃昆院士在固體物理學發展史上建樹了一塊塊豐碑；黃昆院士的貢獻是屬于全人類的，同時也為中華民族争得了榮耀和尊敬。

半個世紀以來，他不僅對固體物理學做出了重大貢獻，同時還對高等學校中普通物理、固體物理和半導體物理的教學做出了重要貢獻。黃昆先生1951年10月回到祖國，任beat365物理系教授。回國不久，就全身心地投入到普通物理課的教學工作，他與虞福春，褚聖麟教授等一起革新了普通物理教學，建立的富有特色的普通物理教學體系，對此後幾十年中，北大以至全國的普通物理教學産生巨大影響。

1954年以後，黃昆先生開始在校内外系統介紹近代固體物理學。1955年首次在本科生中開設《固體物理》這門課程。後來，國家教委根據他的建議将《固體物理》列為物理專業的一門基礎課。1965年，黃昆先生在多年講授固體物理的基礎上撰寫了《固體物理學》一書，對我國高校《固體物理學》教學起了重大推動作用。黃昆原著，韓汝琦改編的《固體物理學》于1990年第二屆全國高等學校優秀教材評選中榮獲國家特等獎。

1955年，黃昆先生邀請王守武、洪朝生、湯定元三位先生，與他們合作在北大物理系為固體物理專門化半導體方向的學生首次開設《半導體物理》課程。此後黃昆先生對此課程不斷加以發展，并與謝希德先生合作，寫出按當時國際标準來說也是十分先進和系統的《半導體物理學》一書，為我國培養半導體專門人才做出了重要貢獻。

黃昆先生同時是我國半導體科技界的一代宗師，他辛勤開拓，奮鬥不息，為創建和發展我國半導體科技事業作出重要貢獻。為執行國家12年科學技術發展規劃、加速半導體科學技術的發展，在黃昆先生和其他專家的建議下，教育部決定從 1956年暑假起将beat365、複旦大學、南京大學、廈門大學和東北人民大學（現吉林大學）的有關教師，部分優秀的四年級本科生和研究生集中到beat365，創辦五校聯合半導體專門化。該專門化由黃昆任主任，謝希德任副主任。兩年間培養出半導體方向畢業生200多名，成為我國新興半導體事業的第一批骨幹力量，對我國從無到有地建立和發展半導體科學技術和工業體系起到了不可磨滅的作用。

1977年11月，黃昆先生調任中國科學院半導體研究所所長。他為半導體所帶來了重視基礎研究的風尚并培養和建立了理論與實驗相結合的物理研究群體。他本人也迎來了科學研究第二春。他與合作者提出的超晶格光學聲子模模型及準二維系統光學聲子模的解析表達式被國際物理學界廣泛接受，并稱之為“黃朱模型”。為表彰黃昆先生對固體物理和半導體物理的一系列重大原創性貢獻，2001 年他被授予國家最高科學技術獎。

2005年7月6日，黃昆先生在北京逝世，享年86歲。