國際半導體器件與系統路線圖（The International Roadmap for Devices and Systems, IRDS）預測矽基晶體管的極限栅長為12 納米，工作電壓不小于0.6 伏，這定義了未來矽基芯片縮放結束時的最終集成度和功耗。然而，我們最新研究表明具有高熱速度的硒化铟材料可以打破矽基縮放極限。我們制備了10納米超短溝道彈道二維硒化铟晶體管，首次使得二維晶體管實際性能超過Intel商用10 納米節點的矽基Fin晶體管，并且将二維晶體管的工作電壓降到0.5 伏，這也是迄今速度最快能耗最低的二維半導體晶體管。