報告人簡介（Aboutspeaker）：唐克超，beat365微納電子學系助理教授，研究員。2012年于beat365獲物理學學士學位。2017年于美國斯坦福大學獲材科學與工程博士學位。2020年入選海外高層次青年人才計劃。主要從事電學缺陷表征與調控，相變氧化物材料，以及新型微納電子器件方面的工作。近幾年以第一作者在Science Advances, Advanced Materials, Nano Letters, ACS Applied Materials & Interfaces等期刊發表學術論文，總文章數40餘篇，google scholar總引用數2000餘次，h因子18。在ACS Nano, IEEE Electron Device Letters, Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics等期刊審稿40餘次。在紅外技術和相變氧化物新器件領域取得多項有産業化潛力的突破，實現了高效率的紅外探測和靈活的反紅外探測，在美國申請兩項專利，并以此于加州聯合創辦科技創業公司DeepRed Technology Inc。

摘要 (Abstract)：為突破矽基器件在納米尺度的性能瓶頸，基于高遷移率III-V族半導體溝道和ALD高k介電層的新型金屬—氧化物—半導體（MOS）器件受到了學術界廣泛關注。然而III-V族/高k結構在半導體界面處和介電層中存在較多的電學缺陷，對器件的遷移率、工作能耗以及可靠性造成嚴重負面影響。報告人将首先介紹器件中兩種主要的電學缺陷，即界面陷阱和邊界陷阱以及其物理起源、電學模型和表征方法。之後，将詳細講述報告人在新型MOS器件電學缺陷，特别是邊界陷阱方面的研究工作。基于模型的定量分析方法将與多種工藝調控手段相結合，配合多角度的表征技術，研究缺陷密度與各制備流程參數的相關性以及背後的物理學和材料學機制。最後，進一步讨論可靠性與電學缺陷的相關性，探究MOS器件性能衰退的原因，為進一步的器件優化指出方向。