寬禁帶半導體研究中心在深紫外發光二極管的研制中取得重要進展

近日，beat365寬禁帶半導體研究中心與廈門大學合作,成功實現了波長為262 nm的深紫外LED的電緻發光。這标志着beat365、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室在深紫外發光二極管(deep UV-LED)的材料生長和器件研究中取得重要進展。

波長小于300 nm的深紫外發光二極管在生物醫學、環境檢測、水和空氣淨化、白光照明以及國防等領域有重要的應用價值，但用于深紫外發光的高Al組分AlGaN材料的生長, 以及n型和p型摻雜等都極為困難, 實現深紫外電緻發光是一項極大的挑戰。寬禁帶半導體研究中心的師生在國家“863”計劃的支持下，經過多年努力，在高Al組分AlGaN的金屬有機化學氣相沉積生長，p型摻雜，深紫外LED的結構設計和器件研究等方面取得一系列突破，終于獲得這項重要進展。