寬禁帶半導體研究團隊在GaN基異質結構二維電子氣自旋性質研究上取得重要進展

《物理評論快報》2008年10月3日版（PRL 101, 147402, (2008)）報道了beat365官方网站寬禁帶半導體研究中心、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室在GaN基異質結構二維電子氣自旋性質研究中的新進展，該項工作與中科院半導體所半導體材料科學重點實驗室合作進行，論文題目是Anomalous Photogalvanic Effect of Circular Polarized Light Incident on the 2DEG in AlGaN/GaN heterostructures at Room temperature。該文第一作者為沈波教授指導的凝聚态專業05級碩士生賀小偉，有多名教師和研究生參與和支持了該項工作。

基于相對論效應，電子自旋和軌道角動量相互作用會在半導體中産生所謂的自旋和逆自旋霍爾效應。該效應揭示了自旋流和電流的相互轉化規律，是近年來半導體自旋電子學研究的核心内容之一。近兩年中，beat365沈波教授和中科院半導體所陳湧海研究員共同領導的研究小組緻力于利用光激發的方法研究半導體異質結構二維電子氣的自旋輸運性質，取得了一系列進展。本文工作中，他們找到了一種在常溫和宏觀尺度下觀察半導體異質結構中自旋流産生橫向霍爾電流（逆自旋霍爾效應）的實驗方法，并根據實驗數據估算了引起逆自旋霍爾效應的自旋橫向力。該項工作為在宏觀和常溫條件下研究逆自旋霍爾效應和自旋流提供了新的實驗方法。