光學二維半導體材料在低阈值片上激光方面重要的應用潛力。此報告将讨論在二維發光半導體材料（以InSe為代表）的激射物性與調控的研究結果，主要包括：1）觀測到無外腔下InSe材料的室溫激射，揭示激射來源于激子-激子散射過程（P帶發射），獲得激射增益與激發功率變化關系曲線；2）發現InSe具有非常強的激子-激子散射作用，結合光學微腔技術，實現了室溫連續光泵浦的窄線寬、非線性P帶發射；3）利用金剛石對頂砧靜水壓調控技術，實現對InSe自發輻射和熒光激射185 nm和111 nm的超寬光譜調控，揭示該電子帶隙變化主要源于面内In-Se鍵的壓縮畸變；4）發現InSe材料中随層厚變化的壓力調控發光行為，揭示在薄層材料中金剛石-InSe界面粘附力克服面内In-Se鍵的壓縮，使得材料展現出單軸應變的行為。

參考文獻

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