缺少單片集成矽基激光器是矽基光電融合的瓶頸。矽襯底上直接外延生長InAs/GaAs量子點激光器是解決這一難題的重要方案。通過同質外延在矽圖形化襯底上構築具有孔洞的V型結構，我們有效克服了矽上生長GaAs存在晶格失配、極性失配和熱失配的難題。本報告将介紹我們在矽基直接外延生長高質量GaAs材料及系列矽基、SOI基InAs/GaAs量子點激光器方面的研究進展。
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