半導體材料中的各類缺陷會對其物理性質産生顯著的影響。深入理解材料中的缺陷特性對于半導體器件的性能優化具有重要的意義。經過多年的發展，基于密度泛函理論的第一性原理方法已經成功地應用于半導體缺陷特性的模拟。這使得人們可以對缺陷的類型、濃度、能級位置、載流子俘獲系數等關鍵參數進行準确定量的預測，并從原子級微觀尺度對相關物理過程的機理進行理解。本次報告主題為半導體點缺陷的第一性原理計算模拟研究。報告将分為兩部分。第一部分介紹半導體點缺陷關鍵特性計算（如形成能、離化能等）的基本理論和方法。第二部分将主要以鹵族鈣钛礦半導體為例，介紹缺陷模拟在理解半導體材料物理性質及半導體器件性能優化方面所發揮的重要作用。