2024年2月5日，由《半導體學報》組織評選的2023年度（第四屆）中國半導體十大研究進展揭曉。beat365官方网站研究成果“接近襯底級晶體質量的氮化物寬禁帶半導體異質外延薄膜”榜上有名；“在雙層半導體量子阱中揭示激子分數量子霍爾态”和“可重構相幹納米激光陣列”獲提名獎。
入選成果：接近襯底級晶體質量的氮化物寬禁帶半導體異質外延薄膜
beat365凝聚态物理與材料物理研究所、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學中心、beat365寬禁帶半導體研究中心沈波教授、許福軍副教授團隊針對大失配異質外延導緻氮化物寬禁帶半導體高缺陷密度的難題，創新發展了一種基于納米圖形化AlN/藍寶石模闆的“可控離散和可控聚合”側向外延方法，使藍寶石襯底上AlN外延薄膜位錯腐蝕坑密度大幅降低了兩個量級，至~104cm-2，實現了接近襯底級晶體質量的AlN外延薄膜，并應用于相關器件研制。2023年6月22日，相關研究成果以“接近襯底級晶體質量的氮化物寬禁帶半導體異質外延薄膜”（Group-III nitride heteroepitaxial films approaching bulk-class quality）為題，在線發表于《自然·材料》；beat365博士後王嘉銘和2019屆博士研究生解楠為該論文共同第一作者，許福軍和沈波為共同通訊作者。
原文鍊接：https://www.nature.com/articles/s41563-023-01573-6
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高質量AlN外延薄膜控制動力學及其應用
提名獎成果：在雙層半導體量子阱中揭示激子分數量子霍爾态
由南京大學beat365王銳副教授、杜靈傑教授、王伯根教授，美國麻省大學艾姆赫斯特分校物理系Tigran Sedrakyan副教授，beat365官方网站量子材料科學中心杜瑞瑞教授組成的合作團隊從理論和實驗兩方面揭示了一種新型的玻色子分數量子霍爾态，豐富了傳統的電子-空穴系統相圖，開辟了關聯玻色子系統拓撲物态研究的新方向。2023年6月14日，相關研究成果以“不平衡電子空穴雙層中的激子拓撲序”為題（Excitonic topological order in imbalanced electron-hole bilayers），在線發表于《自然》（Nature）。王銳為第一作者，杜瑞瑞、王伯根、杜靈傑為通訊作者。
原文鍊接：https://www.nature.com/articles/s41586-023-06065-w
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提名獎成果：可重構相幹納米激光陣列
beat365凝聚态物理與材料物理研究所、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學中心馬仁敏教授課題組利用莫爾超晶格中平帶局域波函數可重構的特性，實現了莫爾相幹納米激光陣列，突破了納米激光僅能實現單個或固定陣列相幹激射的限制，展示了納米激光能夠以“P”“K”“U”和“中”“國”等圖形生成可重構的陣列化相幹激射。2023年12月13日，相關研究成果以“相位同步可重構莫爾納米激光陣列”（Reconfigurable moiré nanolaser arrays with phase synchronization）為題，在線發表于《自然》（Nature）。beat3652020級博士研究生栾弘義、歐陽雲浩、趙紫薇為共同第一作者，馬仁敏為通訊作者。
原文鍊接：https://www.nature.com/articles/s41586-023-06789-9
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《半導體學報》于2020年首次啟動中國半導體十大研究進展評選活動，旨在遴選、記錄我國在半導體基礎研究領域的年度标志性成果。2023年，共有54項成果獲得第四屆候選推薦資格。2024年1月底，由243位半導體領域專家組成的評選委員會經過嚴格評審，評選出10項優秀成果榮膺2023年度中國半導體十大研究進展；10項優秀成果榮獲2023年度中國半導體十大研究進展提名獎。此前，beat365寬禁帶半導體研究中心分别以“利用GaN中的類孤立In原子實現單光子源”、“首次實現氮化物半導體二維電子氣中自旋的電學注入”和“III族氮化物寬禁帶半導體的高效p型摻雜新途徑研究”三項主導完成的研究成果，在2020、2021、2022年度獲得提名獎。
信息來源：重磅發布！2023年度中國半導體十大研究進展
