雙拓撲絕緣體是拓撲絕緣體和拓撲晶體絕緣體的合稱，其拓撲能帶結構同時受時間反演對稱性保護和晶體對稱性的保護。由于多個拓撲表面态的共存，雙拓撲絕緣體可望具有更高自旋流電荷流轉換效率。此外，人們通過打破一個反演對稱性而保持另一個反演對稱性，可為能帶結構、自旋輸運與光學性質的拓撲調控提供更多可能性。到目前為止，雙拓撲态能帶結構帶來的量子輸運與圓（線）偏振光閥效應的影響尚不清楚。我們通過超高真空分子束外延系統，制備出高質量雙拓撲超晶格(Bi2Se3-Bi2)N。從ARPES的測量中可以清楚地看到拓撲絕緣體（TI）表面态 (狄拉克點位于Γ)和拓撲晶體絕緣體（TCI）表面态(狄拉克點位于鏡面投影線Γ-M方向上)的共存。實驗結果表明，在雙拓撲超晶格中，表面态電子結構對量子輸運和光激發具有高度可調性，這為研究非平庸的CPGE和LPGE提供一個良好的平台，将為自旋電子或光自旋電子學器件應用方面的雙拓撲态的研究提供更多的參考。
