随着光電子器件集成度的提高，器件尺寸已經納米尺度，量子效應顯示出來，主導了低維材料和器件的性能。為了研究低維材料與器件的結構與性能之間的關系，北京高能光源（HEPS）設計了低維結構探針線站（LoDiSP），提供以相幹表面X射線散射為核心的一系列方法，為低維材料與器件的研究提供了強有力的支撐平台。在其後實驗站，我們将發展原創的倏逝波調制技術，解決複雜功能化合物的應用瓶頸問題，打通複雜化合物功能材料走向類矽工業化應用的道路，并開展低維量子相變研究和電子駐波的量子相幹研究。