摘要 (Abstract) ：
新型片上非易失性存儲器有望解決大數據時代“存儲牆”問題。其中利用自旋狀态存儲信息的磁随機存儲器（MRAM）具有高密度、無限次讀寫操作等優點，是後摩爾時代通用型存儲器的重要技術路徑。近年，基于自旋軌道轉矩新機理的磁性器件受到廣泛關注。本報告将彙報我們如何通過自旋材料（1）晶格結構、（2）非共線磁結構的設計，調控自旋軌道轉矩的對稱性，實現了更有效的電流驅動磁矩翻轉。
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