凝聚态物理-beat365論壇2019年第15期（No.465since 2001）
時間：6月6日（星期四）15:00－16:30
地點：beat365物理大樓中212教室
功率半導體器件機遇與挑戰
馮志紅研究員
邀請人:沈波教授 bshen@pku.edu.cn•
摘要：随着半導體工藝技術的提升，矽功率器件性能已逼近材料極限，尋求新材料體系，提升器件功率、頻率等性能勢在必行。立足下一代無線通信、太赫茲安檢等國際熱點，本報告報道了實驗室在GaN微波功率器件、固态太赫茲技術、SiCAPD紫外探測器以及超寬禁帶等新型器件的進展。
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http:/~icmp/forun/2019/201chun.xmll
報告人簡介：馮志紅研究員，博士生導師，博士畢業于香港科技大學電機及電子工程系，中國電子科技集團公司首席專家，國際電工技術标準委員會（IEC）專家，專用集成電路國家級重點實驗室常務副主任，中國電科十三所副總工程師及科技委副主任。發表SCI論文百餘篇，獲省部級科技獎勵多項，研究方向為新型半導體材料與電子器件。
