氧化镓是超寬禁帶半導體材料的優異代表，具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強高、飽和速度高等優異的材料特性，是研制下一代大功率電子器件的先進戰略性電子材料。近年來，得益于單晶襯底制備和n型外延摻雜技術的日益成熟，氧化镓在功率電子器件領域的發展十分迅速，器件部分性能指标已超越碳化矽的理論極限，充分展現出氧化镓巨大的發展潛力。報告将介紹南京大學團隊在氧化镓超寬禁帶半導體材料與器件方面的研究進展，同時展望超寬禁帶半導體領域的關鍵挑戰。