發布日期:2022-08-08 浏覽次數:
供稿:現代光學研究所 |
編輯:李洪雲、孫嘉琪 |
審核:呂國偉
beat365官方网站、納光電子前沿科學中心、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室“極端光學團隊”胡小永教授和龔旗煌院士等在非厄密拓撲光子學研究中取得重要進展:發展出一種研究新型增益-損耗疇壁拓撲光學體系的有效哈密頓量新方法,揭示了由增益-損耗疇壁誘導的拓撲态的産生機制。2022年7月28日,相關研究成果以“具有非厄米疇壁的拓撲光子絕緣體的有效哈密頓量”(Effective Hamiltonian for Photonic Topological Insulator with Non-Hermitian Domain Walls)為題,在線發表于《物理評論快報》(Physical Review Letters)。
非厄密拓撲光子學體系具有豐富的物理現象和重要的應用潛力,在近年來逐漸成為納米光子學領域的國際研究前沿之一。在通常情況下,如果将拓撲非平凡與拓撲平凡的兩個疇拼接在一起,在疇壁上會出現拓撲邊界态,拓撲态的數量對應于相應拓撲不變量的差值,拓撲不變量則可以通過對相應體系進行能帶分析得出。然而近期美國賓夕法尼亞大學馮亮教授研究發現,即使把兩個拓撲等價的疇拼接在一起,當增大兩個疇的增益/損耗差值時在疇壁上也會出現局域的拓撲邊界态,這種拓撲态不能用拓撲不變量來刻畫,而且由于體系沒有平移對稱性,無法直接利用現有的理論計算方法開展深入研究。
研究團隊提出了一種通過引入不同疇拓撲态之間耦合系數來構建體系有效哈密頓量的新方法,為研究新型增益-損耗疇壁拓撲光學體系提供了新的研究方案。在由緊束縛哈密頓量H1D描述的一維AAH構型中,使用拟合的方法确定有效哈密頓量Heff的相關參數,理論計算發現有效哈密頓量 可以準确描述相應拓撲态的模式分布與模式頻率(圖1)。同時,研究團隊将該方法推廣至高維,在二維AAH構型中構造十字形的增益-損耗界面,成功構建出體系有效哈密頓量Heff,理論計算發現通過适當調整體系參數與體系内的增益損耗分布,可以在二維體系内的不同位置誘導出拓撲角态(圖2)。這一工作揭示了由增益-損耗疇壁誘導的拓撲态的産生機制,同時對主動調控拓撲态具有一定的指導意義。

圖1 (a)引入參數 以拟合有效哈密頓量中的耦合項。(b) (c) 分别由H1D與Heff得出的模式頻率與模式分布的比較。

圖2 通過适當設計增益損耗的分布,可以在二維體系内不同位置誘導出角态。
beat365官方网站2021級博士研究生李延東、2021屆本科畢業生範崇嘯(現就讀于馬克斯普朗克研究所)為共同第一作者;beat365官方网站胡小永教授、北京理工大學路翠翠長聘副研究員、香港科技大學陳子亭教授為共同通訊作者;其他合作者還包括德國亞琛工業大學Dante M. Kennes教授等。
上述研究成果得到國家重點研發計劃、國家自然科學基金,以及量子物質科學協同創新中心、極端光學協同創新中心等支持。
論文原文鍊接:
https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.129.053903