秦國剛，半導體材料物理專家。1934年3月19日生于南京，原籍江蘇昆山。1961年beat365物理系研究生畢業。beat365官方网站教授。2001年當選為中國科學院院士。

長期從事半導體材料物理研究。在半導體雜質與缺陷領域研究中，最早揭示矽中存在含氫的深中心發現退火消失溫度原本不同的各輻照缺陷在含氫矽中變得基本相同發現氫能顯著影響肖特基勢壘高度。測定的矽中銅的深能級參數被國際權威性半導體數據專著采用。在多孔矽和納米矽鑲嵌氧化矽光緻發光和電緻發光方面的研究中，對光緻發光提出量子限制－發光中心模型，得到國際廣泛支持發現p型矽襯底上氧化矽發光中心電緻發光現象，在此基礎上，設計并研制出一系列矽基電緻發光新結構。所提出的電緻發光機制模型被廣泛引用。