11月26日（周三）下午3點，量子物質科學協同創新中心清華分中心seminar：

報告題目： Exploring the interfaces in 2D MS2: dislocations, grain boundaries, edges, and electronic heterostructures 報告人： Xiaolong Zou Department of Materials Science and nanoEngineering, Rice University 報告時間： 2014-11-26 15:00 報告地點：清華物理系理科樓三樓報告廳摘要：二維材料由于其各方面出色的性質成為了最近的研究熱點。基于二維材料的各類器件上的應用都依賴于樣品大規模的制備。同graphene類似，化學氣相沉積法是現今最為有效的方法。複雜的晶粒成核、生長和融合過程不可避免地引入了各種各樣的界面結構，包括邊緣，位錯和晶界等等。這些缺陷結構對材料的性質産生着非常重要的影響。在這個報告中，我将首先介紹近來對二維BN和過渡金屬鹵化物MS2中位錯和晶界的研究結果[1-5]。針對這些二維材料的開放性和異質組成，我将着重強調化學勢對缺陷的結構和遷移機制的影響。更進一步，某些位錯和晶界能夠成為磁性中心[6]和一維的金屬線。其次，我還将揭示邊緣能量這一平衡态性質對材料的非平衡的撕裂行為的影響。最後，我将從MS2的不同相（半導體性的2H和金屬性的1T）構成的電子異質結界面的結構和遷移的角度來闡述不同相之間可能的轉變機制。
References:
[1] Y. Liu, X. Zou, B. I. Yakboson, ACS Nano, 6, 7053 (2012).
[2] W. Zhou*, X. Zou*, et al., Nano Lett., 13, 2615-2522 (2013).
[3] S. Najmaei et al., Nat. Mater., 12, 754-759 (2013).
[4] X. Zou, et al., Nano Lett., 13, 253-258 (2013).
[5] A. Azizi*, X. Zou*, et al. Nature commun., 5, 4867 (2014).
[6] Z. Zhang, X. Zou, et al. ACS Nano, 7, 10475 (2013).